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专利名称: 集成纳米结构的薄膜型MOS 气体传感器
专利类别: 实用新型
申请号: 201620179891.6
申请日期: 2016-03-09
专利号: 201620179891.6
第一发明人: 明安杰;陈大鹏
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况: 授权
专利证书号: 201620179891.6
专利摘要:
其它备注: 感知中心