研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
现在位置:首页 > 研究队伍 > 专家人才
 

姓 名:
黄森
性    别:
职 务:
职    称:
副研究员
学 历:
博士
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
+86-10-82995595
邮政编码:
100029
传 真:
+86-10-62021601
电子邮件:
huangsen@ime.ac.cn

所属部门:
高频高压器件与集成研发中心
简历:

教育背景

  2000-2004:大连理工大学物理系,电子科学技术专业,学士

  2004-2009:北京大学物理学院,凝聚态物理专业,博士

工作简历

  2009-2012:香港科技大学电子及计算机工程学系,博士后

  2012-至今:中国科学院微电子研究所,副研究员

研究方向:
高频高压GaN-on-Si功率电子器件及模块研究;III-V族化合物半导体电子器件的先进制备工艺,表征技术及器件物理研究。
学科类别:
社会任职:
IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction on Electron Devices等期刊审稿人
获奖及荣誉:
代表论著:

  1.   S. Huang, Q. Jiang, K. Wei, G. Liu, J. Zhang, X. Wang, Y. Zheng, B. Sun, C. Zhao, H. Liu, Z. Jin, X. Liu, H. Wang, S. Liu, Y. Lu, C. Liu, S. Yang, Z. Tang, J. Zhang, Y. Hao, and K. J. Chen, “High-Temperature Low-Damage Gate Recess Technique and Ozone-Assisted ALD-grown Al2O3 Gate Dielectric for High-Performance Normally-Off GaN MIS-HEMTs,” IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM-2014), pp. 17.4.1–17.4.4. 

  2.   S. Huang, X. Liu, J. Zhang, K. Wei, G. Liu, X. Wang, Y. Zheng, H. Liu, Z. Jin, C. Zhao, C. Liu, S. Liu, S. Yang, J. Zhang, Y. Hao, and K. J. Chen, “High RF Performance Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated With High-Temperature Gate-Recess Technique,” IEEE Electron Device Letters, vol. 36, no. 8, pp. 754–756, Aug. 2015. 

  3.   S. Huang, K. Wei, G. Liu, Y. Zheng, X. Wang, L. Pang, X. Kong, X. Liu, Z. Tang, S. Yang, Q. Jiang, and K. J. Chen, “High-fMAX High Johnson’s Figure-of-Merit 0.2-μm Gate AlGaN/GaN HEMTs on Silicon Substrate With AlN/SiNx passivation,” IEEE Electron Device Letters, vol. 35, no. 3, pp. 315–317, Mar. 2014.  

  4.   S. Huang, Q. M. Jiang, S. Yang, Z. Tang, and K. J. Chen, “Mechanism of PEALD-grown AlN passivation of AlGaN/GaN HEMTs: Compensation of interface trap states by polarization charges,” IEEE Electron Device Letters, vol. 34, no. 2, p. 193, Feb. 2013. (Time cited: 42) 

  5.   S. Huang, Q. M. Jiang, S. Yang, C. H. Zhou, and K. J. Chen, “Effective Passivation of AlGaN/GaN HEMTs by ALD-grown AlN Thin Film,” IEEE Electron Device Letters, vol. 33, no. 4, p. 516, Mar. 2012.  

  6.   S. Huang, S. Yang, J. Roberts, and K. J. Chen, “Threshold voltage instability in Al2O3/GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron mobility transistors,” Japanese Journal of Applied Physics. vol. 50, no. 11, p. 110202, Oct. 2011. 

    7.   S. Huang, B. Shen, M. J. Wang, F. J. Xu, Y. Wang, H. Y. Yang, F. Lin, L. Lu, Z. P. Chen, Z. X. Qin, Z. J. Yang, and G. Y. Zhang, “Current transport mechanism of Au/Ni/GaN Schottky diodes at high temperatures,” Applied Physics Letters, vol. 91, no. 7, p. 072109, Aug. 2007.
承担科研项目情况:

  1.国家自然科学基金面上项目,61474138,基于极化电荷补偿界面态钝化理论的GaN基功率开关可靠性及增强技术研究,2015/01-2018/12,75万元,在研,主持。

  2.中科院前沿科学重点研究项目,QYZDB-SSW-JSC012,GaN基功率器件与界面态物理,2016/08-2021/07,250万元,在研,主持。

专利申请

  1.        PASSIVATION OF GROUP III-NITRIDE HETEROJUNCTION DEVICES, Kevin Jing Chen, Sen Huang, Qimeng Jiang, and Zhikai Tang, US No. 8,937,336 B2,授权公告日:2016年5月10日。

  2.        Low Interface State Device and Method for Manufacturing the Same, Xinyu Liu, Sen Huang, Xinhua Wang, Ke Wei, Wenwu Wang, Junfeng Li, Chao Zhao,申请号:US 14/821,203,专利申请日:2015年8月7日。

  3.        Low Damage Etching Method for III-nitride, Xinyu Liu, Sen Huang, Xinhua Wang, Ke Wei,申请号:US 15/060,406,专利申请日:2016年3月3日。

  4.“低界面态器件及制造方法”,刘新宇,黄森,王鑫华,魏珂,王文武,李俊峰,赵超,申请号:201510103253.6,专利申请日:2015年3月10日。

  5.“一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法”,黄森,刘新宇,王鑫华,魏珂,申请号:201510690191.3,专利申请日:2015年10月22日。

  6.“一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法”,黄森,刘新宇,王鑫华,魏珂,包琦龙,罗军,赵超,申请号:201510712242.8,专利申请日:2015年10月28日。

  7. “III族氮化物低损伤刻蚀方法”,刘新宇,黄森,王鑫华,魏珂,申请号:201510868081.1,专利申请日:2015年12月2日。

  8.“一种GaN基功率电子器件及其制备方法”,黄森,刘新宇,王鑫华,魏珂,包琦龙,王文武,赵超,申请号:201610265883.8,专利申请日:2016年4月26日。

  9.“增强型GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法”,黄森, 刘新宇, 王鑫华, 魏珂,申请号:201610331114.3,专利申请日:2016年5月18日。

备注:
文章下载: