研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
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姓 名:
陈巍巍
性    别:
职 务:
副主任
职    称:
高级工程师
学 历:
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
chenweiwei@ime.ac.cn

所属部门:
中国科学院EDA中心
简历:

  教育背景:毕业于清华大学

研究方向:
纳米集成电路设计,高速存储器设计
学科类别:
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:
承担科研项目情况:
  • 带领团队研发完成业内首个0.13um嵌入式闪存IP硅编译器;
  • 建立国内首个3D NAND设计团队并奠定测试芯片架构和关键设计环节;
  • 指导设计服务团队为企业提供10余款IP产品的设计。

专利申请

2项美国专利(均已授权),51项国内发明专利(26项已授权)

 

  

  

备注:
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