研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
现在位置:首页 > 研究队伍 > 专家人才
 

姓 名:
徐强
性    别:
职 务:
职    称:
副研究员
学 历:
硕士
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
xuqiang1@ime.ac.cn

所属部门:
中科新芯三维存储器研发中心
简历:

  教育背景

  2016/9 – 至今         中国科学院大学        微电子学与固体学        博士(在读)

  2003/9 -- 2006/6         北京化工大学        材料科学与工程        硕士

  1999/9 -- 2003/7         北京化工大学        材料科学与工程        本科

  工作简历

  2012.05-至今         中科院微电子研究所

  2011.01-2012.05         上海华力微电子有限公司

  2006.07-2010.12         中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

研究方向:
先进三维闪存存储器后端集成工艺开发
学科类别:
社会任职:
获奖及荣誉:

2014年度微电子所优秀员工

2015年度微电子所科苑新秀称号

2014年度武汉新芯公司年终考核优秀

2014年度武汉新芯公司年终考核优秀

2015年度武汉新芯公司CEO特别奖 (团队)

代表论著:

  Qiang Xu, Jun Luo, Guilei Wang, et al. “Application of ALD W films as gate filling metal in 22 nm HKMG-last integration: Evaluation and improvement of the adhesion in CMP process.” Microelectronic Engineering,137 (2), 43-46 (2015)

  Li Xinkai, Huo Zongliang, Jin Lei, Jiang Dandan, Hong Peizhen, Xu Qiang, et al. “Impact of continuing scaling on the device performance of 3D cylindrical junction-less charge trapping memory.” Journal of Semiconductors,36(9), (2015)

  Guilei Wang, Qiang Xu, Tao Yang, et. al, “Application of Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) as Gate Filling Metal for 22 nm and Beyond Nodes CMOS Technology.” ECS Journal of Solid State Science and Technology, 3 (4), 82-85 (2014)

  Lichuan Zhao, Zhaoyun Tang, Bo Tang [...], Jian Zhong, Qiang Xu, Wenwu Wang, Junfeng Li, Huilong Zhu, Chao Zhao, Jiang Yan, Dapeng Chen, Simon Yang, Tianchun Ye, “Mitigation of Reverse Short-Channel Effect With Multilayer TiN/Ti/TiN Metal Gates in Gate Last PMOSFETs.” IEEE Electron Device Letters 08/2014; 35(8):811-813.

  Tao Yang, Guilei Wang, Qiang Xu, Yihong Lu, Jiahan Yu, Hushan Cui, Jiang Yan, Junfeng Li, Chao Zhao. “ALD W CMP characteristic for HKMG integration.” 224th ECS Meeting; 10/2013

承担科研项目情况:
备注:
文章下载: