研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
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姓 名:
朱阳军
性    别:
职 务:
一室副主任
职    称:
研究员
学 历:
博士
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
010-56130126
邮政编码:
100029
传 真:
010-82995836
电子邮件:
zhuyangjun@ime.ac.cn

所属部门:
硅器件与集成技术研究室(一室)
简历:

教育背景 
1998.9-2002.7 山东大学“物理学”学士学位;

2002.9-2007.7 山东大学“微电子学与固体电子学”博士学位;

2006.6-2007.5 新加坡南洋理工大学 联合培养博士生(国家留学基金委全额资助公派)
 
工作简历 
现任中国科学院微电子研究所一室副主任,IGBT项目组负责人,中国物联网研究发展中心电力电子器件实验室负责人。

2007.7-2009.8 中科院微电子所 博士后/助研;

2009.8-至今,中科院微电子所副研究员,项目组长,一室副主任,中国物联网研究发展中心电力电子实验室主任;

研究方向:

半导体功率器件、半导体器件测试及可靠性

学科类别:
社会任职:
获奖及荣誉:

1.      2008年被聘为第19届北京市博士后联谊会科技部副部长;

2.      2009年被聘为中国科学院博士后联谊会副理事长;

3.      2010年获得中科院微电子所“先进工作者”(十佳)称号;

4.      2010年获得所长特别奖;

5.      2011年两次获得所长特别奖;

6.      2011年获得中国物联网研究发展中心“优秀部门”表彰;

7.      2011年成为“中国科学院青年创新促进会”会员

8.      2012年入选首届中科院北京分院“启明星”优秀人才计划;

9.      2012年获得中国物联网研究发展中心“优秀部门负责人”、“先进工作者”等荣誉称号;

10.     2012年带领电力电子实验室获得中国物联网研究发展中心“优秀部门”、“最显著科研成果奖”等集体荣誉;

代表论著:

已发表SCI/EI收录论文20余篇,其中第一作者论文7篇。

承担科研项目情况:
 

主持承担的项目如下:

1. 重大科技专项一级课题《1700V-6500V IGBT产品的产业化研发》;

2. 重大科技专项一级课题《IGBT产品开发、测试与可靠性研究》;

3. 重大科技专项一级课题《高压IGBT芯片产品检测与考核公共实验室建设》;

4. 重大科技专项一级课题《测试及可靠性服务平台建设》

5. 中科院重要方向性项目《面向电动汽车和智能电网应用的电力电子器件国产化研制》;

6. 中科院面向新兴战略产业院地合作项目《面向智能电网和高铁应用的IGBT器件产业化》;

7. 中科院院地合作项目《电动汽车用高压大功率电力电子器件产业化应用解决方案》;

8. 中科院GF创新项目《基于功率VDMOS的xxx方法研究分析》;

9. 中科院微电子所所长基金项目《功率半导体器件的热可靠性分析研究》;

 

专利申请 
目前已经申请发明和实用新型专利128项,其中国际发明专利PCT 11项。

备注:
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