研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
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姓 名:
杨清华
性    别:
职 务:
职    称:
副研究员
学 历:
博士
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
010-82995767
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
yangqinghua@ime.ac.cn

所属部门:
集成电路先导工艺研发中心(十室)
简历:
教育背景
1994.09-1999.07,清华大学,本科;
1999.09-2005.06,中国科学院微电子研究所,博士。
工作简历
2005.7-2008.7 中国科学院微电子研所, 助理研究员;
2008.8-至今 中国科学院微电子研究所,副研究员。
其中:
2009.6-2011.1 昆山光微电子有限公司 历任总经理助理,运营总监(COO);
2010.2-2010.7 昆山光微电子有限公司杭州分公司,总经理(CEO)。
研究方向:
硅器件及集成技术,MEMS技术,微纳加工技术。
学科类别:
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:

(1)High-rate reactive ion etching of barium hexaferrite films using optimal CHF3/SF6 gas mixtures,Appl. Phys.Lett.,2009;
(2)基于精简标准单元库的OPC复用技术,半导体学报,2008;
(3)可制造性设计在纳米SOC中的应用和发展,微纳电子技术,2007;
(4)高斯电子束曝光系统原理,电子工业专用设备,2005;
(5)电子束散射角限制投影光刻掩模研制,光电工程,2004。

承担科研项目情况:
(1)国家重大专项02专项:超大规模集成电路22nm先导工艺技术研发;
(2)MEMS非制冷红外成像芯片的产业化实施;
(3)集成电路纳米工艺DFM技术;
(4)纳米加工领域标准样品及其标准化研究。
备注:
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