研究队伍
 
 
 
 
 
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姓 名:
 杨清华
性    别:
 男
职 务:
职    称:
 副研究员
学 历:
 博士
通讯地址:
 北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
 010-82995767
邮政编码:
 100029
传 真:
电子邮件:
 yangqinghua@ime.ac.cn

所属部门：
集成电路先导工艺研发中心(十室)
简历：
教育背景
1994.09-1999.07，清华大学，本科；
1999.09-2005.06，中国科学院微电子研究所，博士。
工作简历
2005.7-2008.7 中国科学院微电子研所, 助理研究员；
2008.8-至今 中国科学院微电子研究所，副研究员。
其中：
2009.6-2011.1 昆山光微电子有限公司 历任总经理助理，运营总监(COO)；
2010.2-2010.7 昆山光微电子有限公司杭州分公司，总经理（CEO）。
研究方向：
硅器件及集成技术，MEMS技术，微纳加工技术。
学科类别：
社会任职：
获奖及荣誉：
代表论著：

（1）High-rate reactive ion etching of barium hexaferrite films using optimal CHF3/SF6 gas mixtures，Appl. Phys.Lett.，2009；
（2）基于精简标准单元库的OPC复用技术，半导体学报，2008；
（3）可制造性设计在纳米SOC中的应用和发展，微纳电子技术，2007；
（4）高斯电子束曝光系统原理，电子工业专用设备，2005；
（5）电子束散射角限制投影光刻掩模研制，光电工程，2004。
承担科研项目情况：
（1）国家重大专项02专项：超大规模集成电路22nm先导工艺技术研发；
（2）MEMS非制冷红外成像芯片的产业化实施；
（3）集成电路纳米工艺DFM技术；
（4）纳米加工领域标准样品及其标准化研究。
备注：
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