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姓 名:
刘洪刚
性    别:
职 务:
职    称:
研究员
学 历:
博士
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
010-82995765
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
liuhonggang@ime.ac.cn

所属部门:
微波器件与集成电路研究室(四室)
简历:
刘洪刚,男,1974年生,博士,研究员。2003年7月于中科院微电子研究所获博士学位,博士论文主要研究GaAs HBT微波器件与高速光通信集成电路;2003年9月赴加拿大Simon Fraser大学从事毫米波器件与电路方面的研究,研发成功的毫米波InP/GaAsSb DHBT技术,目前已经应用于安捷伦(Agilent)公司的高频测量仪器中;2006年2月加入瑞士联邦理工学院(ETH Zurich)从事太赫兹电子器件方面的研究,实现了0.6 THz太赫兹晶体管;2008年6月在多伦多大学负责高效低成本晶体硅太阳电池的研发工作;2009年9月受聘为中科院微电子研究所研究员、博士生导师,2010年获中科院“百人计划”择优支持。
研究方向:

高迁移率CMOS器件;射频/微波集成电路;绿色光电子器件

学科类别:
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:

1)         S. K. Wang, H.G. Liu, and A. Toriumi, “Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Applied Physics Letters, 101, 061907 (2012).

2)         S. K. Wang, B. Q. Xue, H. L. Liang, Z. X. Mei, Y. Li, W. Zhao, B. Sun, X. L. Du, H. G. Liu, “Growth of Epitaxial Beryllium Oxide on Ge (111) by Molecular Beam Epitaxy”, SSDM 2012, (2012).

3)         H.G. Liu, H. D. Chang, B. Sun, “Extrinsic Base Surface Passivation in Terahertz GaAsSb/InP DHBTs Using InGaAsP Ledge Structures”, IEEE Transaction on Electron Devices, 58(2), 2011, pp. 576.

4)         H.G. Liu, O. Ostinelli, Y.P. Zeng and C.R. Bolognesi, “Emitter Size Effect and Ultimate Scalability in InP:GaInP/GaAsSb/InP DHBTs”, IEEE Electron Device Letters, 29(6), 2008, pp. 546-548.

5)         H.G. Liu, Y.P. Zeng, O. Ostinelli and C.R. Bolognesi, “600 GHz InP/GaAsSb/InP DHBTs Grown by MOCVD with a Ga(As,Sb) Graded-Base and fT × BVCEO > 2.5 THz-V at Room Temperature”, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2007, pp. 667-670, Washington DC, USA.

6)         H.G. Liu, O. Ostinelli, Y.P. Zeng and C.R. Bolognesi, “High-Current-Gain InP/GaInP/GaAsSb/InP DHBTs with fT = 436 GHz”, IEEE Electron Device Letters, 28(10), 2007, pp. 852-855.

7)         H.G. Liu, O. Ostinelli, Y.P. Zeng and C.R. Bolognesi, “High Gain Arsenic-Rich n-p-n InP/GaAsSb DHBTs with fT > 420 GHz”, IEEE Transactions on Electron Devices, 54(10), 2007, pp. 2792-2795.

8)         H.G. Liu, S.P. Watkins and C.R. Bolognesi, “Type-II InP/GaAsSb DHBTs with 15 nm Base and 384 GHz fT and 6-V BVCEO”, IEEE Transactions on Electron Devices, 53(3), 2006, pp. 559-561.

9)         C.R. Bolognesi, H.G. Liu, N. Tao, X. Zhang, S. Bagheri-Najimi and S.P. Watkins, "Neutral base recombination in InP/GaAsSb/InP double-heterostructure bipolar transistors: Suppression of Auger recombination in p+ GaAsSb base layers," Applied Physics Letters, vol. 86, 2005, pp. 253506-1-3.

10)      Nick G.M. Tao, H.G. Liu, C.R. Bolognesi, "Surface Recombination Currents in "Type-II" NpN InP-GaAsSb-InP Self-Aligned DHBTs", IEEE Transactions on Electron Devices, 52(6), 2005, pp. 1061-1066.

11)      H.G. Liu, N. Tao, S.P. Watkins, C.R. Bolognesi, "Extraction of the average collector velocity in high-speed “Type-II” InP-GaAsSb-InP DHBTs", IEEE Electron Device Letters, 25(12), 2004, pp. 769-771.

12)      H.G. Liu, J.Q. Wu, N. Tao, A.V. Firth, T.W. MacElwee, C.R. Bolognesi, "High-performance InP/GaAsSb/InP DHBTs grown by MOCVD on 100 mm InP substrates using PH3 and AsH3", Journal of Crystal Growth, 267, 2004, pp. 592-597.

承担科研项目情况:

百人计划项目(2010-2012)
国家973项目(2010CB327500)课题“超高频化合物基CMOS器件和电路研究”(2010-2014)
国家973项目(2011CBA00600)课题“超低功耗高性能集成电路器件与工艺基础研究”(2011-2015)
国家02科技重大专项课题(2011ZX02708-003)“高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究”(2011-2014)

备注:
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