研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
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姓 名:
金智
性    别:
职 务:
职    称:
研究员
学 历:
博士
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
010-82995586
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
jinzhi@ime.ac.cn

所属部门:
微波器件与集成电路研究室(四室)
简历:

1999年毕业于吉林大学 电子工程系 获博士学位
1999-2002 日本北海道大学 量子电子学研究中心
2002-2004 德国Duisbur-Essen大学
2004-2006 日本电气通信大学
2006-至今 中国科学院微电子研究所

研究方向:

超高频InP基三端电子器件、毫米波电路、化合物半导体超高速数模混合电路

学科类别:
微电子学与固态电子学
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:

[1] Jin Zhi, YB Su, et al. “Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with fmax of 305 GHz,” Solid-State Electronics , Vol. 52, 1088, 2008.
[2] Jin Zhi, Liu Xinyu, “On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT,” Science in China Series E: Technological Sciences, Vol. 52, 1672, 2009.
[3] Jin Zhi, Su Yongbo, Cheng Wei, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “High Current Multi-Finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with the Maximum Oscillation Frequency 253 GHz,” Chin. Phys. Lett., Vol. 25, pp. 3075-3078, 2008.
[4] Jin Zhi, Su Yongbo, Cheng Wei, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 170 GHz and fmax of 253 GHz,” Chin. Phys. Lett., Vol. 25, pp. 2686-2689, 2008.
[5] Jin Zhi, Su Yongbo, Cheng Wei, Liu Xinyu, Xu Anhuai, Qi Ming, “High-Speed InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage,” Chin. Phys. Lett., Vol. 25, pp. 2683-2685, 2008.
[6] Jin Zhi, Liu Xinyu, Wener Prost, F.-J. Tegude, “Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination,” Solid-State Electronics, Vol. 52, pp. 1088-1091, 2008.
[7] Jin Zhi, W. Prost, S. Neumann, F.-J. Tegude, “Current transport mechanism and its effects on the performance of InP-based double heterojuction bipolar transistors with different base structures,” Applied Physics Letters, Vol. 84, 2910, 2004.
[8] Jin Zhi, S. Neumann, W. Prost, F.-J. Tegude, “Surface recombination mechanism in graded- base InGaAs/InP hetero- structure bipolar transistors,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 51, 1044, 2004.

承担科研项目情况:

 973项目“新一代化合物半导体器件和电路研究”子课题“新结构HBT器件”(2008年完成)
院装备研制项目“3毫米微波器件与电路在片综合测试系统”(2007-2009)
“百人计划”项目(2009-2011)
973项目“超高频大功率化合物半导体基础问题研究”子课题“太赫兹三端电子器件研究”(2010-2015)

备注:
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