研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
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姓 名:
欧文
性    别:
职 务:
职    称:
副研究员
学 历:
研究生
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
13910705755/82995562
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
ouwen@ime.ac.cn

所属部门:
集成电路先导工艺研发中心(十室)
简历:

学习经历:
1. 中国科技大学半导体物理专业硕士毕业;

2. 浙江大学物理系本科毕业;

工作经历:

1. 2009年4月-至今:中国科学院微电子研究所十室副研究员,从事CMOS先进工艺技术和CMOS MEMS研究;

2. 2007年7月-2009年4月:渝德科技(重庆)有限公司C&C部门经理;

3. 2005年9月-2007年3月:华润上华科技有限公司北京分公司工艺部经理;

4. 2004年5月-2005年7月:中国科学院微电子所硅工程中心研究员课题负责人;

5. 1998年7月-2004年5月:中国科学院微电子研究所第1研究室,课题负责人,副研究员/研究员;

6. 1997年7月-1998年7月:香港科技大学电子工程系,访问学者

7. 1992年9月-1997年7月:中国科学院微电子所第3研究室,助理研究员

研究方向:

CMOS 新器件,新工艺研究,CMOS MEMS研究

学科类别:
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:

1、 “CF4预处理后热生长薄栅氧漏电流及势垒研究”,刘倜,欧文,半导体学报,2004,
2、“闪速存储器的单管多位技术”,李多力,欧文,微电子学,Vol.34,No.3,2004年6月,pp241-245
3、“SCDI Flash Memory Device II:Experiments andCharacteristics”,欧文,钱鹤,半导体学报,Vol.25,No.5,2004年5月,pp497-501
4、“SCDI Flash Memory Device I:Simulation and Analysis”,欧文,钱鹤,半导体学报,Vol.25,No.4,2004年4月,pp361-365
5、“深硅槽的刻蚀研究”,全国第十二届电子束、离子束、光子束学术会议论文集,2003年9月,北京,pp242-245
6、“光刻胶的刻蚀技术研究”,全国第十二届电子束、离子束、光子束学术会议论文集,2003年9月,北京,pp264-267
7、“Flash 器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性”,半导体学报,Vol.24,No.5,2003年,pp516-519
8、“Novel nonplanar Flash Memory Device”,半导体学报,2002年
9、“Flash Memory器件研究”,微纳电子技术,2002年

承担科研项目情况:

在研主要项目:
1. 先进纳米CMOS关键工艺技术先导研究;

2. 国家863计划“MEMS与IC集成制造技术及应用”方向”MEMS红外焦平面阵列及CMOS读出电路集成”研究。

完成的主要项目:

1.负责国家973项目“非挥发性存储器与逻辑电路兼容关键工艺技术研究”,圆满完成(2000年-2005年);

2.负责“超深亚微米关键技术-多层布线技术的研究”,圆满完成任务(2001年-2005年);

3.参加“九五”攻关项目“0.35um集成电路关键技术研究”和“0.1um级CMOS器件和性能研究”,圆满完成任务,共同获得北京市科技进步2等奖;

4.负责自主研制成功实验型CMP设备;

5.参加“八五”国家重点科技项目《HBT和HEMT基础技术研究》中“0.2-0.5um 微细加工及新结构异质结器件研究”,负责其中HBT新结构器件的研究;提出一种新的HBT器件结构和解决HBT器件中欧姆接触问题;获得优秀论文一篇;

6.参加中国科学院“八五”重大科研项目“新结构器件及微细加工研究”。

备注:
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