研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
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姓 名:
朱慧珑
性    别:
职 务:
微电子所学位委员会副主任、微电子所集成电路先导工艺研发中心首席科学家
职    称:
研究员
学 历:
博士
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
010-82995515
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
zhuhuilong@ime.ac.cn

所属部门:
集成电路先导工艺研发中心(十室)
简历:

教育背景
北京师范大学博士, 1988,理论物理专业
中国科学技术大学学士,1982,物理专业
工作简历
2009年4 – 至今
  研究员,博士生导师, 中国科学院微电子研究所,中国北京
2000年-2009年
  IBM半导体研究和开发中心(SRDC), 位于纽约的Hopewell Junction
  • 提出了多项提高芯片性能的核心技术方案,其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等; 
  • 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象,提出了新的数学模型及解析解法,并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。
1998年-2000年
  英特尔(Intel), 位于加利福尼亚州的Santa Clara
  • 研究和开发极大规模集成电路和芯片制造工艺的建模与仿真软件;
    • 开发模拟芯片制造工艺(CMOS, 半导体存储器, 离子注入, 掺杂扩散, …)的软件, 并用于模拟CMOS器件的生产制造过程;
    • 指导公司与大学之间的研究合作工作。
1996年-1998年
  数字设备公司(DEC), 位于马萨诸塞州的Hudson
  • 研究和开发大规模集成电路和芯片制造工艺的模型与仿真;
  • 设计实验并用于校准硼和磷的扩散模型;并应用这些模型来模拟亚微米CMOS器件的制造过程; 参与器件的工艺设计;
  • 指导公司与大学之间的研究计划。
1992年-1996年
  伊利诺伊大学厄巴纳-尚佩恩分校(UIUC)材料研究实验室(MRL),位于伊利诺伊州的Urbana-Champaign
  • 用分子动力学研究纳米粒子烧结过程的先驱之一; 第一次发现了纳米粒子超快速烧结(几十微微秒)的现象并给出了理论解释。据不完全统计,此项工作他引达139次。
1990年-1992年
  美国阿贡国家实验室(Argonne National Lab)材料科学部,位于伊利诺伊州的Argonne
  • 用分子动力学研究离子注入,原子混合,和原子扩散现象。
1988年-1990年
  北京师范大学低能核物理研究所, 北京
  • 从事原子扩散,离子注入表面该性和核反应堆辐射损伤的理论物理研究。

研究方向:

纳米器件及关键工艺基础技术先导研究

学科类别:
社会任职:
中国科学院信息科技战略研究组专家成员, 中国科学技术大学兼职教授, CSTIC 2010 Symposium Co-Chair
获奖及荣誉:

• 国家科技重大专项02专项2010年度“个人突出贡献奖”;
• 中科院微电子研究所最受学生喜爱的导师(2010-2011)
• 2009年国家“千人计划”入选者;
• IBM全公司2007年度4名牵头发明家(Leading Inventor)之一;
• IBM半导体研究和开发中心2008年度的发明大师(Master Inventor);
• 2项专利获IBM杰出专利奖;
• 获得IBM公司发明成就奖51次;
• 获已授权美国专利190多件和发表科技论文50余篇。

代表论著:

1) H. Zhu et al, “Improving yields of high performance 65 nm chips with sputtering top surface of dual stress liner,” VLSI 2007, pp180-181
2) H. Zhu et al, “On the control of short channel effect for MOSFETs with reverse halo implantation” IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 2, pp168-170, 2007。
3)H. Zhu, “Modeling of impurity diffusion with vacancy-mechanism in diamond lattice and Si1-xGex,” Electrochemical Society Proceedings Volume 2004-07, pp. 923-934
4) H. Zhu et al, “Structure and method to enhance stress in a channel of CMOS devices using a thin gate”, US Patent application number: US20060160317A1
5) H. Zhu et al, “Structure and method for manufacturing planar SOI substrate with multiple orientations”, US7094634.
6) H.S. Yang and H. Zhu, “Method and apparatus for increase strained effect in a transistor channel,” US7118999 and US7462915
7) K. Lee and H. Zhu, “Method for slowing down dopant-enhanced diffusion in substrates and devices fabricated therefrom,” US7163867
8) B. Doris et al, “Structure and method to enhance both nFET and pFET performance using different kinds of stressed layers,” US8008724B2
9) H. Zhu and R. S. Averback, "Sintering processes of two nanoparticles: a study by molecular-dynamics simulations," Phil. Mag. Lett. 73, no.1, (1996): 27-33.
10) H. Zhu et al, “Molecular-Dynamics simulations of a 10-keV cascade in beta-NiAl,” Philosophical Magazine A71 735-758, 1995

承担科研项目情况:

现担任“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”项目首席专家, 该项目属国家科技重大专项02专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”。

备注:
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