研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
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姓 名:
孙宝刚
性    别:
职 务:
职    称:
副研究员
学 历:
研究生
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
010-82995554
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
sunbg@ime.ac.cn

所属部门:
硅器件与集成技术研究室(一室)
简历:
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研究方向:
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学科类别:
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:

1. 邵红旭,孙宝刚,韩郑生,“0.1mm SOI槽栅CMOS器件特性仿真”,电子工业专用设备,2005年第一期,已发表;

2. 邵红旭,吴俊峰,韩郑生,孙宝刚,“硅膜厚度对0.1mm SOI槽栅NMOS器件特性的影响”,微电子学与计算机,已发表;

3.邵红旭,孙宝刚,吴俊峰,钟兴华, “Study on the Characteristics of 0.1mm SOI Grooved gate pMOSFET”,半导体学报,已发表;

4. 程  超,海潮和,孙宝刚,“0.5μm高速BiCMOS的工艺研究”,微电子学与计算机,已发表;

5. 程  超,海潮和,孙宝刚,“高速双极晶体管工艺条件的优化研究”,微电子学,已发表。

承担科研项目情况:
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备注:
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