研究队伍
 
 
 
 
 
 
 
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姓 名:
韩郑生
性    别:
职 务:
职    称:
研究员/教授
学 历:
硕士研究生
通讯地址:
北京市朝阳区北土城西路3号
电 话:
010-82995549
邮政编码:
100029
传 真:
电子邮件:
zshan@ime.ac.cn

所属部门:
硅器件与集成技术研究室(一室)
简历:

  1997.4-今中国科学院微电子中心(现改为中国科学院微电子研究所)从事集成电路工艺技术、电路设计、研究生管理及研究室管理工作,曾任高级工程师,光刻工艺负责人,研究室副主任兼任测试工艺负责人,硅工程中心产品部主任,项目/课题负责人,硅器件与集成技术研究室主任。现任所副总工程师、所学术委员会主任、所学位委员会副主席、所党委委员、所职代会委员、二级研究员、中国科学院大学教授、博士生导师、硅器件与集成技术研发中心总设计师。国家特殊津贴获得者。 

  IEEE会员,北京电力电子学会理事,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室学术委员会委员,北京大学教育部微电子器件与电路重点实验室学术委员会委员,中国科学院微电子工艺技术重点实验室学术委员会委员,中国科学院大学微电子学院教学委员会委员。 

  1999.6-2000.6香港科技大学,访问学者。 

  1994.4-1997.3 北京精确微电子研究所,从事集成电路设计工作,任技术负责人。 

  1993.9-1994.3北京盈发科技公司,从事集成电路设计工作,任集成电路部副经理。 

  1988.6-1993.8 北京燕东微电子联合公司,从事集成电路工艺技术、新产品开发及生产线管理,曾任工程师,车间主任,主任工程师。 

  1985.9-1988.6西安交通大学半导体物理与器件,研究生毕业,获硕士学位。 

  1983.7-1985.8 电子工业部878厂,从事集成电路工艺技术工作,扩散班长。 

  1979.9-1983.6西安交通大学半导体物理与器件,本科毕业,获学士学位。

研究方向:
集成电路技术
学科类别:
社会任职:
获奖及荣誉:

 “亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究”获2005年国家技术发明二等奖;“高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究” 获2004年北京市科学技术一等奖;“0.18/0.1微米CMOS集成电路关键技术研究”获2004年北京市科学技术二等奖。

代表论著:

专著《抗辐射集成电路概论》,译著《半导体制造技术》、《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》(第5版)、《功率半导体器件基础》,参加《中国材料工程大典》第11卷第3章第3节的编写。发表学术论文100余篇。

承担科研项目情况:

负责或参与了多项重要国家科技项目研究。 包括国家重大专项、973863、国家自然基金等。

备注:
培养研究生33(其中已毕业博士17名,硕士10名)。
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