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论文编号: 1725110120150036
第一作者所在部门: 高频高压中心
论文题目: Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor
论文题目英文:
作者: 彭松昂
论文出处:
刊物名称: Applied Physics Letter
: 2015
: 106
: 033503
: 1-4
联系作者: 金智
收录类别:
影响因子: 3.515
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
备注: