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论文编号: 1725110120150049
第一作者所在部门: 研究生6,高频高压中心
论文题目: Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称: Journal of Semiconductors
: 2015
: 36
: 7
: 074006-1-074006-7
联系作者: 林体元,黄森,袁婷婷,刘新宇,王鑫华,刘果果,庞磊
收录类别:
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