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获奖题目：
第三代（宽禁带）半导体电子材料和器件基础研究
获奖编号：
获奖时间：
2009年
获奖名称：
第三代（宽禁带）半导体电子材料和器件基础研究
主要完成人：
中国电子科技集团公司、13所、46所、55所、北大、西电、半导体所、微电子所（排名第十，刘新宇）
完成单位：
中国电子科技集团公司、13所、46所、55所、北大、西电、半导体所、微电子所（排名第十，刘新宇）
成果介绍：
获奖类别：
2009年国防科技进步一等奖
获奖等级：
授奖部门：
开始日期
结束日期：
登记人：
